AG和记NXP等，业务主要覆盖:汽车电子AG和记、工业控制电力电子、通讯网络、航空航天、物联网、医疗几大行业。

　　本公司本着“聆听客户心声，快速响应需求”的原则，旨为客户提供更好的产品和更好的服务。

　　拥有佩带接地型连接器、高密度阵列、背板互连器、耐用型信号完整性优化Edge Rate系统和高达56 Gbps NRZ/112 Gbps PAM4的高速性能的夹层系统。

　　专为满足高电流应用的需求而设计的电源互连连接器AG和记，以及具有高可靠性、高稳定性和长使用寿命的耐用型微型互连连接器。

　　线绕电阻是固定电阻的一种。线绕电阻器是用电阻丝绕在绝缘骨架上构成的。电阻丝一般采用具有一定电阻率的镍铬、锰铜等合金制成。绝缘骨架是由陶瓷、塑料、涂覆绝缘层的金属等材料制成管形、扁形等各种形状。电阻丝在骨架上根据需要可以绕制一层，也可绕制多层，或采用无感绕法等。绕线电阻主要适用于精密仪表、电讯仪器、电子设备等交直流电路中作分压、降压、分流及负载电阻等。

　　精密电阻器是指在相同的电阻技术和安装方式下，电阻的阻值精度、温度系数、负载寿命、长期稳定性等指标均达到更高标准的电阻器。精密电阻的长期稳定性是非常重要的指标，离开稳定性的高精度是没有意义的。

　　铝电解电容器为两极性结构，安装时需注意极性，不得装反，交流电或反向电压的应用可能会导致短路或损坏电容器：交流电路中的极性可能会出现反向或无法确定，因此双极性电容器不适用于交流应用

　　国际半导体产业协会（SEMI）发布调查报告预估今年全球市场规模可达494亿美元，同比增长19.7%AG和记，再创纪录，同时其预估中国大陆明年将超越中国台湾成全球第二大市场，这将为中国创造提供发展基础。

　　以DRAM为代表的半导体器在全球范围内掀起涨价潮。DRAM作爲半导体存储器的産品类型之一，常见産品形态是内存条，主要的两个应用市场是PC和智能手机

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