AG和记金融界2024年10月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“功能薄膜异质衬底结构及其制备方法、电子元器件”的专利，公开号 CN 118748146 A，申请日期为2024年6月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种功能薄膜异质衬底结构及其制备方法、电子元器件，其中，该方法包括：对辅助衬底和经离子注入的功能衬底在第一表面进行接合；对功能衬底中远离缺陷层的该第一表面进行第一温度处理并经剥离处理，形成包括中间薄膜层的第二中间衬底结构；对中间薄膜层中远离辅助衬底的第二表面进行第二温度处理基于中间薄膜层形成功能薄膜层；将功能薄膜层与目标衬底进行接合，并对第二表面进行第三温度处理，以及从第一表面处分离辅助衬底，形成功能薄膜异质衬底结构。本申请能够改善接合界面的气泡缺陷问题。

　　特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。

　　170架战机绕演，歼-20晒出与宝岛合影，岛内却只拍到歼-15歼-16

　　对话当事人丨网红“药水哥”刘波拿下健美比赛第三名，本人回应“魔鬼式减肥”

　　筑牢安全屏障 护航活力少年——青岛山东路小学开展高层建筑应急安全体验活动

　　哈佛经济学家揭露“教育真相”：父母离婚AG和记、打小孩，其实都不影响学习成绩…