AG和记1.如何选用高频三极管；2.雷达感应开关原理与调试；3.BFQ591 射频收发电路：4.BFP196机顶盒应用电路

　　√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏 电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；

　　√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；

　　√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，最大集电极电流：IC=70mA,集电 极耗散功率：PC=300mW，特征频率：fT=9GHz；

　　√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 和 SOT143R 表 面贴塑封；

　　√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、 小结电容特性；

　　√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声初级小信号放 大器中，如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤传 输中的中继放大器等品；

　　√ 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，最大集电极电流：IC=30mA,集电 极耗散功率：PC=150mW，特征频率：fT=10GHz；

　　√ 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 和 SOT143R 表 面贴塑封;

　　√ 主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF、CATV、雷达感应开关、无线安防、射频模块等高频宽带低噪声放大器等电路中；

　　√ 集电极发射极击穿电压：BVCEO=10V，最大集电极电流： IC=35mA,集电极最大耗散功率： PC=150mW，特征频率：fT=8.0GHz;

　　√ 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏 电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；

　　√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、 射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；

　　√ 集电极-基极击穿电压：BVCEO=9V，最大集电极电流：ICM=50mA,特征频 率：fT=9GHz;

　　√ 封装形式： SOT323,本体印字(Marking)：XM-##。

　　√ 本芯片采用硅外延工艺制造AG和记，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；

　　√ 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如电视调谐器、卫星电视接收器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和光纤模块等产品；

　　√ 集电极-基极击穿电压：BVCEO=9V，最大集电极电流：ICM=50mA,特征频率：fT=9GHz;

　　北京鼎霖电子科技有限公司成立于2006年12月，公司的4英寸、6英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事军用以及民用特种半导体器件的研制及生产。已分别生产了肖特基二极管、高频三极管系列、超快恢复功率二极管。